Wip: (K=(氮化鎵+GaN))*(T=MOCVD+R=MOCVD)
CNKI:(關鍵詞=氮化鎵或關鍵詞=GaN)和(標題=MOCVD或摘要=MOCVD)
2.(1)引導式檢索檢索到的記錄數:VIP: 721，其中壹篇題為《徑向三重流MOCVD反應器中GaN生長的數值模擬》。
Cnki: 48篇文章，其中壹篇題為“MOCVD引領InGaN/GaN MQW紫的生長”。
(2)用(1)編寫的檢索公式:VIP: 268，其中壹篇題為“GaN—MOCVD系統反應室流場的數值模擬”。
CNKI:五篇文章，其中壹篇題為“GaN-MOCVD設備的發展現狀及產業化思路”