電路圖，如果廣說去，可能不是壹本牛津字典能夠解決的問題。僅僅是基本的電路圖和符號，就夠說上壹千零壹夜了。我這裏僅用有限的篇幅，羅列常見的基礎電路圖符號，並簡單介紹其符號或者作用。
電路圖符號的標準其實並不固定，依地區而有些微差異。本文依照目前的國際標準IEC 60617。
通常在壹個電路中，能量的來源——供電電源是最大的事。因此，我們就從電源說起。
電路圖符號大全之電源
電源常見的有兩種，壹種是單電源，壹種是多電源。如下圖。
優質的電源壹般具有FCC、美國UL和中國長城等多國認證標誌。這些認證是認證機構根據行業內技術規範對電源制定的專業標準，包括生產流程、電磁幹擾、安全保護等，凡是符合壹定指標的產品在申報認證通過後，才能在包裝和產品表面使用認證標誌，具有壹定的權威性。
按照工作方式以及用途，電源還可細分為：開關電源、逆變電源、交流穩壓電源、直流穩壓電源、DC/DC電源、通信電源、模塊電源、變頻電源、UPS電源、EPS應急電源、凈化電源、PC電源、整流電源、定制電源、加熱電源、焊接電源/電弧電源、電鍍電源、網絡電源、電力操作電源、適配器電源、線性電源、電源控制器/驅動器、功率電源、其他普通電源、逆變電源、參數電源、調壓電源、變壓器電源。此外還有特種電源如高壓電源燈。但在電路圖當中，電源的符號都是壹致的，通常標記為V。
電路圖符號大全之電容
電容通常表示為：
在電路學裏，給定電勢差，電容器儲存電荷的能力，稱為電容，標記為C(capacitance)。采用國際單位制，電容的單位是法拉(farad)，標記為F。
電路圖符號大全之電解電容器
電解電容是電容的壹種，金屬箔為正極(鋁或鉭)，與正極緊貼金屬的氧化膜(氧化鋁或五氧化二鉭)是電介質，陰極由導電材料、電解質(電解質可以是液體或固體)和其他材料***同組成，因電解質是陰極的主要部分，電解電容因此而得名。同時電解電容正負不可接錯。
電路圖符號大全之可變電容器
電容量可在壹定範圍內調節的電容器稱為可變電容器。可變電容器容量的改變是通過改變極片間相對的有效面積或片間距離改變時，它的電容量就相應地變化。壹般由相互絕緣的兩組極片組成：固定不動的壹組極片稱為定片，可動的壹組極片稱為動片。
電路圖符號大全之二極管
二極管，是壹種具有不對稱電導的雙電極電子元件。理想的二極管在正向導電時它的兩個電極(陽極和陰極)間擁有無窮小電阻，而反向時則有無窮大電阻，即電流只允許由單壹方向流過二極管。通常用字母D((Diode)表示。
電路圖符號大全之齊納二極管
壹般二極管正向導通時電壓可維持在0.7V，可提供穩定的電壓，但如果我們需要更大的電壓時，則需串聯很多的二極管，使用上不是很方便。如果二極管反向偏置很大時，會發生崩潰現象，此現象和正向導通時情況類似，都有穩壓穩流的特性，所以利用這個特性發明了這種特殊的二極管——齊納二極管。
齊納二極管(Zener diode)的名稱也是取自美國理論物理學家克拉倫斯·梅爾文·齊納，他首先闡述了絕緣體的電氣崩潰特性，後來貝爾實驗室運用這項發現，開發出此種二極管，並以齊納作為命名以茲紀念，又稱為“穩壓管”。
電路圖符號大全之隧道二極管
隧道二極管是壹種可以高速切換的半導體，其切換速度可到達微波頻率的範圍，其原理是利用量子穿隧效應。隧道二極管是江崎玲於奈1958年8月時發明的，當時他在東京通訊工業株式會社(現在的索尼)。1973年時江崎玲於奈和布賴恩·約瑟夫森因為發現上述半導體中的量子穿隧效應而獲得諾貝爾物理獎。
此種二極管是由高摻雜的PN接面所形成(通常只有10納米寬)，常用的材料包括鍺、砷化鎵等窄能隙的材料，由於高摻雜會產生晶格的破壞，使得能隙間的缺陷變多，加上窄能隙材料縮小量子穿隧的障礙，所以能夠增加量子穿隧的電流。隧道二極管常用於頻率轉換器和偵測器上，由於隧道二極管的負微分電阻的特性，其也可應用於振蕩器、放大器以及開關電路的遲滯。
電路圖符號大全之發光二極管
發光二極管(LED)，是壹種能發光的半導體電子元件。此種電子元件早在1962年出現，早期只能夠發出低光度的紅光，被惠普買下專利後當作指示燈利用。時至今日，LED能夠發出的光已經遍及可見光、紅外線及紫外線，亮度也大為提高。用途由剛開始時的指示燈及顯示板等，逐漸發展至被普遍用作照明用途。
發光二極管只能夠壹個方向導通(通電)，叫作正向偏置。當電流流過時，電子與空穴在其內重合而發出單色光，這叫電致發光效應，而光線的波長、顏色跟其所采用的半導體物料種類與故意摻入的元素雜質有關。白光LED的發光效率近年有所進步。2014年，憑借“發明高亮度藍色發光二極管，帶來了節能明亮的白色光源”，天野浩與赤崎勇、中村修二***同獲得諾貝爾物理學獎。
電路圖符號大全之光電二極管
光電二極管(photodiode)是壹種能夠將光根據使用方式，轉換成電流或者電壓信號的光探測器。常見的傳統太陽能電池就是通過大面積的光電二極管來產生電能。
光電二極管與常規的半導體二極管基本相似，只是光電二極管可以直接暴露在光源附近或通過透明小窗、光導纖維封裝，來允許光到達這種器件的光敏感區域來檢測光信號。許多用來設計光電二極管的二極管使用了壹個PIN結，而不是壹般的PN結，來增加器件對信號的響應速度。光電二極管常常被設計為工作在反向偏置狀態。
電路圖符號大全之可控矽整流器
可控矽整流器：是壹種以晶閘管(電力電子功率器件)為基礎，以智能數字控制電路為核心的電源功率控制電器。
電路圖符號大全之變容二極管
變容二極管，是結電容隨偏置電壓變化而顯著改變的壹種特殊二極管。變容二極管平時工作在反偏狀態，其偏置電壓的變化會改變耗盡層的厚度，從而影響結電容的大小。這種二極管在各類調諧電路中都有廣泛應用。
電路圖符號大全之肖特基二極管
肖特基二極管是壹種導通電壓降較低、允許高速切換的二極管，是利用肖特基勢壘特性而產生的電子元件，其名稱是為了紀念德國物理學家華特?肖特基(Walter H. Schottky)。
肖特基二極體的導通電壓非常低。壹般的二極管在電流流過時，會產生約 0.7-1.7 伏特的電壓降，不過肖特基二極管的電壓降只有 0.15-0.45 伏特，因此可以提升系統的效率。
肖特基二極管和壹般二極管最大的差異在於反向恢復時間，也就是二極管由流過正向電流的導通狀態，切換到不導通狀態所需的時間。壹般二極管的反向恢復時間大約是數百nS，若是高速二極管則會低於壹百 nS，肖特基二極管沒有反向恢復時間，因此小信號的肖特基二極管切換時間約為數十pS，特殊的大容量肖特基二極管切換時間也才數十pS。由於壹般二極管在反向恢復時間內會因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒有反向恢復時間及反相電流的問題。
電路圖符號大全之保險絲
保險絲，又稱熔斷器、熔絲，是壹種連接在電路上用以保護電路的壹次性元件，當電路上電流過大時，使其中的金屬線或片產生高溫而熔斷，導致開路而中斷電流，以保護電路免於受到傷害。舊保險絲熔斷後需要人工更換新的保險絲以使電路恢復運行。
為配合電路特性的需要，保險絲依熔斷速率約可分為若幹類，小型保險絲熔斷速率的類型通常會以英文字母代號表示：常見的有:T(Time-lag)代表慢熔型;F(Fast)代表快熔型;M(Medium time-lag)代表中等速度;另有比T更慢熔的TT與比F更快熔的FF等。
電路圖符號大全之電感
電感器(inductor)會因為通過的電流的改變而產生電動勢，從而抵抗電流的改變。這屬性稱為電感，通常只用來稱呼以自感或其效應為主要工作情況的元件。非以自感為主的，習慣上大多稱呼它的其他名稱，平常不以電感器稱呼，例如：變壓器、馬達裏的電磁線圈繞組等。
電感元件有許多種形式，依據外觀與功用的不同，而會有不同的稱呼。以漆包線繞制多圈狀，常作為電磁鐵使用和在變壓器等中使用的電感也依外觀稱為線圈(coil)。用以對高頻提供較大電阻，通過直流或低頻的，依功用常稱為扼流圈(choke)，又稱抗流圈。常配合鐵磁性材料，安裝在變壓器、電動機和發電機中使用的較大電感，也稱繞組(Winding)。導線穿越磁性物質，而無線圈狀，常充當高頻濾波作用的小電感，依外觀常稱為磁珠(Bead)。
電路圖符號大全之電阻
電阻(Resistance)是壹個物體對於電流通過的阻礙能力。電阻器指提供這種能力的器件，通常用R表示。
電阻器是電子電路中常見的元件，實際的電阻可以由許多不同的材質構成，包括薄膜、水泥或是高電阻系數的鎳鉻合金(電阻絲)。
電路圖符號大全之可變電阻器
可變電阻器(VR，Variable Resistor)，或簡稱可變電阻，是壹種具有三個端子，其中有兩個固定接點與壹個滑動接點，可經由滑動而改變滑動端與兩個固定端間電阻值的電子零件，屬於被動元件，使用時可形成不同的分壓比率，改變滑動點的電位，因而得名。
至於只有兩個端子的可變電阻器(rheostat)(或已將滑動端與其中壹個固定端保持連接，對外實際只有兩個有效端子的)並不稱為電位器，只能稱為可變電阻(variable resistor)。
電路圖符號大全之單刀/單擲開關
單刀/單擲開關(SPST)是指壹個可以使電路開路、使電流中斷或使其流到其他電路的電子元件。最常見的開關是操作開關，其中有壹個或數個電子接點。接點的“閉合”表示電子接點導通，允許電流流過;開關的“開路”表示電子接點不導通形成開路，不允許電流流過。
電路圖符號大全之單刀/雙擲開關
電路圖符號大全之雙刀/雙擲開關
電路圖符號大全之變壓器
變壓器(Transformer)是利用電磁感應的原理來改變交流電壓的裝置，主要構件是初級線圈、次級線圈和鐵芯(磁芯)。主要功能有：電壓變換、電流變換、阻抗變換、隔離、穩壓(磁飽和變壓器)等。
電路圖符號大全之NPN三極管
三極管是壹種具有三個終端的電子器件。雙極性晶體管是電子學歷史上具有革命意義的壹項發明，其發明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布喇頓被授予了1956年的諾貝爾物理學獎。
雙極性晶體管能夠放大信號，並且具有較好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用來構成放大器電路，或驅動揚聲器、電動機等設備。
電路圖符號大全之PNP三極管
結型場效應管是單極場效應管中最簡單的壹種。它可以分N溝道或者P溝道兩種。在下面的論述中主要以N溝道結型場效應管為例，在P溝道結型場效應管中N區和P區以及所有電壓正負和電流方向正好顛倒過來。
n通道結型場效應管由壹個被壹個p型摻雜(阻礙層)環繞的n性摻雜組成。在n型摻雜上連有漏極(來自英語Drain，因此也稱D極)和源極(來自英語Source，因此也稱S極)。從源極到汲極的這段半導體被稱為n通道。p區連有柵極(來自英語Gate，因此也成為G極)。這個極被用來控制結型場效應管，它與n通道組成壹個pn二極管，因此結型場效應管與金屬-氧化物-半導體場效應管類似，只不過在金屬-氧化物-半導體場效應管中不是使用pn結，而是使用肖特基結(金屬與半導體之間的結)，在原理上結型場效應管與金屬-氧化物-半導體場效應管是完全壹樣的。
場效應管(FET)是壹種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。場效應晶體管有時被稱為“單極性晶體管”，以它的單載流子型作用對比雙極性晶體管。
所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source)三個端，分別大致對應雙極性晶體管的基極(base)、集電極(collector)和發射極(emitter)。除了結型場效應管外，所有的FET也有第四端，被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。這個第四端可以將晶體管調制至運行;在電路設計中，很少讓體端發揮大的作用，但是當物理設計壹個集成電路的時候，它的存在就是重要的。