在老師們罵他是騙子、“盧曉科技讓人捧腹大笑”之後，盧曉科技也迎來了大跌，跌幅在20%左右。
股份，雪球，每個人都有自己的看法和爭論。
但是沒有壹個業內人士出來說這個，有點神奇。
線外看熱鬧，非專業人士怎麽說，大家應該都有壹些判斷。
現代科學的發展進步，其實已經到了常人難以理解的程度。不信妳看下面這個“標準模型”的公式:
如果妳不懂這個標準型號，第三代半導體，妳連入門都不會。
不知道老師們懂不懂這個。
01
首先介紹壹下第三代半導體。
1.導體和半導體
根據量子力學，構成物質的原子由原子核和電子組成，電子以電子軌道的形式在原子核外運動。
當原子和原子組成壹個物體時，會有許多相同的電子混合在壹起。這個混合過程就是化學反應，形成化學鍵，產生新的分子。
但是兩個相同的電子不能停留在壹個軌道上。為了防止這些電子在壹個軌道上打架，很多軌道被拆分成幾個軌道。
但是，如果這麽多軌道不小心靠在壹起，就會擠在壹起形成壹個寬軌道，這就是所謂的能帶。
有些寬的軌道擠滿了電子，無法移動，宏觀上是絕緣的。這就是所謂的價帶。
有些軌道很空，電子在很多空間裏自由運動，宏觀上是導電的。這就是所謂的導帶。
固體中充滿了價帶和導帶，價帶和導帶之間往往有壹個間隙，稱為禁帶。
導帶和價帶很近，所以電子很容易從價帶變道到導帶，導帶就是導體。
如果稍微遠壹點，電子本身無法穿越禁帶，但是如果不是很遠，禁帶在5ev以內，那麽電子也可以帶著額外的能量穿越禁帶，這就是半導體。
如果禁帶大於5ev，基本上就被逼吃了，壹般情況下電子是跨不過去的。這是絕緣體。
當然，凡事都有例外。如果能量足夠大，別說5ev的禁帶，就連5000ev的禁帶都可以沖過去。這叫擊穿場強(這個東西很重要，不信)。
當然，禁帶越寬，擊穿場強越高。
擊穿場強越高，越耐草。
2.第三代半導體
不要被第三代嚇到，哈哈。
第三代半導體，嚴格來說叫寬帶隙半導體，也就是帶隙比現在的矽基半導體更寬。
根據半導體材料能帶結構的不同，如果帶隙小於2.3ev，則為窄帶隙半導體，代表材料有GaAs、Si、Ge、InP(有些讀者可能不懂化學，但這些材料中文譯為砷化鎵、矽、鍺、磷化銦)。
如果帶隙大於2.3ev，則稱為寬禁帶半導體，代表材料有:GaN、SiC、AlN、AlGaN(中文名:氮化鎵、碳化矽、氮化鋁、鋁鎵氮化物)。
從上面的分析可以看出，半導體的帶隙越大，其電子躍遷到導帶所需的能量就越大。
呵呵，當然擊穿場強越大，意味著材料可以承受更高的溫度和電壓。
所以寬帶隙半導體和集成電路，也就是邏輯芯片，都沒有關系。
邏輯芯片的核心是如何把晶體管做得更小，也就是改進工藝。
而電力電子器件和激光器要承受更高的電壓、電流、頻率和溫度，然後有更小的功率損耗，才能在各種惡劣環境和高功率環境下應用。
想著怎麽抗草。
所以，寬禁帶半導體可以施展才華的地方在於電力電子器件和激光發生器。
目前比較有前景的兩種材料是碳化矽和氮化鎵，其他材料很難生長。
碳化矽主要用於功率器件，現在最火的用在電動車上，因為可以減少功率損耗，提高電動車的電池壽命。
未來如果將碳化矽用於光伏和風力發電，還可以提高發電效率，降低電力成本。
所以在這樣壹個政治家推動的電氣化時代，它的需求是非常迫切的。
氮化鎵主要用於微波器件，比如5G基站的射頻芯片，否則效果會很差。
特別是對於軍事電磁對抗，需要氮化鎵來增加單位微波功率。
5G時代，氮化鎵不可或缺。
02
蕭樓是個大坑嗎？
在國內，研究寬禁帶半導體的主要有三個學校，分別是中科院物理所、中科院上海矽酸鹽所和山東大學。主要研究方向是寬帶隙半導體襯底的晶體生長。
因為這個行業最原始最難的就是基板片的制造。
就像壹個矽基半導體，如果沒有矽片，那做芯片呢？
這三個學校都是90年代開始研究的，起步時間和國外相差不大。有興趣的讀者可以自行搜索論文。
中國科學院物理研究所由陳小龍領導，建立產學研轉化的企業是田可何達。
這家企業去年撤回IPO，有些奇怪。
謠傳陳小龍逃跑了。
田可何達的金主是新疆生產建設兵團，控股方是天府集團，a股的影子股票是天府集團控制的天府能源，占股65，438+00.66%。
山東大學由徐憲綱領導，產學研企業是山東田玉娥。
最初的領導者是徐憲綱的老師，江院士。可惜這位大哥2011去世了，還沒完成工作就去世了。科學真是個燒錢的職業。
在此，向各位領導致以崇高的敬意！
山東田玉娥前段時間參加了上市輔導，相信很快會在a股和大家見面。
大家對他的熱情也很高。浙中股份只有2%被資金頂過。
中科院上海矽酸鹽研究所的帶頭人是陳。
在陳之戰之前，他在金光的世界裏工作。後來，在20年的5月，他跟著盧曉科技走了。
這種盧曉技術是最新的股票。天氣很熱。
翻了壹倍之後，前幾天自媒體出來的老師在微信微信官方賬號、Tik Tok等平臺上出來說這是壹家熱銷的騙子公司。
妳必須有自己的判斷。妳要知道這些老師都不是圈內人，很可能不懂技術，只是看看二手資料。
盧曉科技過去追逐熱點，對鋰電池和光伏的投資也失敗了。
但這並不意味著他的管理層是壞人。
盧曉科技原來的主業是漆包線，這是大家都知道的傳統行業，競爭非常激烈。當然，管理層也知道這是沒有前途的。
尋求轉型，某種程度上說明管理層是有進取心的。
但是轉型很難，涉足壹個未知領域不是那麽簡單的。
山西的煤老板們最了解這個頭疼的問題。
做壹級投資的都知道，熱門行業的好項目，就是需要各種關系和資源的小玩意。手裏有錢能投資那個東西嗎？
但如果不投資有實力的公司，很可能會被父親打死。
低潮中的接招失誤，比如高林投騰訊，段永平投網易，都是高難度動作和傳奇，需要天時、地利、人和的配合。這種機會不僅難得，而且很難把握。
碳化矽過去不是很火，因為商業應用領域沒有出來。
陳小龍曾在接受媒體采訪時透露，田可何達成立後超過10年沒有盈利，給投資人和團隊都帶來了巨大的壓力。
美國軍方支持的科銳，即使有軍方父親，2016也看不下去了，想把公司賣給英飛淩。
在電動車領域，2020年，特別疫情期間，人們還懷疑補貼退了以後會不會面臨死亡。
當時有人專門寫了《預言壹個電爸出逃》來看空。
然後想想，碳化矽器件目前最好的應用場景和去年是壹樣的。誰會更關註碳化矽？
當時的熱門話題是功率器件的國產替代，分別是矽基IGBT和MOSFET、斯達半導體和新清潔能源。
因此，在過去的20年裏，科技找到了陳之戰，這可能與以前的投資有些不同。
國內的碳化矽襯底還僅限於二極管的應用，芯片質量主要來自襯底，所以國內的SiC器件幾乎都來自國外。
目前四英寸碳化矽薄膜做得比較好的有田可何達、河北同光和陜西碩科。
但是基本沒有六寸量產的廠家(每月幾百塊的穩定出貨量)。
換句話說，三大流派還是半斤八兩，都需要突破。不然華為怎麽會壹起投資田可何達和山東田玉娥呢？
在這個階段，誰能率先突破，誰就享有先發優勢，借助行業景氣度，實現超額收益，獲得市場的估值溢價。
也許等合富盧曉半導體的碳化矽襯底出來，華為會進來投資。
合肥市政府號稱是最好的風險投資人，但人不是傻子。
至於盧曉的技術，並沒有什麽技術積累。我真的不知道該怎麽說。陳誌展師兄，他的團隊和學生研究了20多年。
大概是，19年盧曉科技的藍寶石事業部，在給中科鋼研承包碳化矽長晶爐的時候，突然發現這是壹個很有前景的行業，於是找到了陳誌展。
總之，對於盧曉科技，每個人都應該有自己的判斷。核心點只有壹個，就是陳團隊能否生根發芽。
最後做個總結。
君臨認為，目前碳化矽最好的投資應該是襯底環節，產能不足，壁壘極高。
基質的企業主要看國內三大流派下的企業，研究20年以上。
按照國內的科研環境和功率器件企業的發展，其他團隊根本分不到壹杯羹。
物質技術是積累的，燒人和時間，更燒錢。
現在行業火熱，短時間內不可能開始研發。
中科院的兩個研究所和山東大學的江院士團隊肯定是科研資源最豐富的，但說壓力很大，其他團隊申請科研經費不容易。
盧曉科技說9月份可以試產，年底量產，而且是6寸。有了陳之戰，這應該不是吹牛。
壹旦年底基板真的量產，就是國內龍頭。隨著國內科技基金的火爆，自然會有神秘的東方估值力量。
在寬帶隙半導體領域，全世界還處於迷茫階段。我們和美國雖然有差距，但是沒那麽大。
特別是在其主要應用領域，新能源發電、新能源汽車、5G通信、航空航天、電磁對抗，我們國家是最大的應用市場和制造商，尤其是光伏、風電、電動汽車、5G。
技術進步仍然是經濟利益驅動的，產業的需求對技術進步的作用最大。
所以目前寬帶隙半導體的投資大有可為，很有可能在我國誕生壹個全球領軍人物。有很大的想象空間嗎？
至於氮化鎵等材料，以及外延、器件設計制造，產業正在興起，肯定有很大的機會。君臨將在後續後續文章中繼續輸出，帶領讀者徹底解決這壹領域。