PSRAM
背景:
PSRAM具有單晶體管DRAM單元，與傳統的六晶體管或四晶體管雙負載電阻SRAM單元有很大不同，但具有類似SRAM的穩定接口。內部DRAM架構賦予PSRAM壹些優於低功耗6T SRAM的優勢，比如體積更輕，價格更有競爭力。目前，在整個SRAM市場中，90%的廠商都在生產PSRAM元件。近兩年市場上SRAM/PSRAM的重要供應商有三星、賽普拉斯、瑞薩、美光、東芝。
基本原則:
PSRAM是偽SRAM，內部存儲粒子與SDRAM相似，但外部接口與SRAM相似，沒有SDRAM復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的接口與SRAM相同。
PSRAM的容量有8Mbit、16Mbit、32Mbit等。容量沒有SDRAM高，但肯定比SRAM高很多。速度支持突發模式，也不是很慢。海力士、Coremagic、華邦. MICRON. CY等廠商供應，價格只比同等容量的SDRAM貴壹點點，比SRAM便宜很多。
PSRAM主要用於手機、電子詞典、掌上電腦、PDA、PMP、MP3/4、GPS接收機等消費電子產品。與SRAM(采用6T工藝)相比，PSRAM采用1T+1C工藝，因此體積更小。同時，PSRAM的I/O接口與SRAM相同。就容量而言，目前有40架。與SDRAM相比，PSRAM的功耗要低得多。因此，對於許多需要壹定緩存容量的便攜產品來說，它是壹個理想的選擇。
當前開發狀態:
東芝、NEC電子、富士通三家公司最近提出了PSRAM(偽靜態隨機存取存儲器)第四版標準接口規範，也稱為CSORAM Rev.4(移動RAM通用規範)，是移動RAM的通用規範。三家公司將生產和銷售各自的產品，產品最早可於2007年3月上市。以上三家公司在9月份首次提出了通用規範，1998，共享了堆疊式多芯片封裝(MCP)對包括閃存、SRAM在內的移動設備的通用接口規範。隨後，他們在2002年、2003年和2004年對其進行了修訂，增加了頁面模式和突發模式等規範。COSMORAM Rev. 4為偽SRAM增加了雙速率突發(DDR突發)模式。
也不是現在市面上主要的非易失性閃存技術。也不是壹般只用來存儲少量代碼；NOR主要用於代碼存儲介質。也不具有應用簡單、不需要專用接口電路和傳輸效率高的特點。它屬於XIP，就地執行(XIP)，因此應用程序可以直接在(或非型)閃存中運行，而無需將代碼讀入系統RAM。容量為1 ~ 4 MB時性價比較高，但寫入和擦除速度較低，性能受影響較大。NOR flash有SRAM接口，有足夠的地址引腳尋址，可以輕松訪問其中的每壹個字節。NOR flash以1 ~ 16 MB的容量占據了大部分閃存市場。
目前大部分手機使用NORFLASH存儲代碼，SRAM或PSRAM作為緩存或工作內存，而NANDFLASH廠商則提倡NANDFLASH和SDRAM的結合。