1，光路系統不同:DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸沒式光刻機會在投影鏡頭和晶圓之間填充去離子水，使193nm的光波相當於134nm；；而幹式光刻機不是，它的介質是空氣。另壹方面，EUV光刻機使用光反射原理，其內部必須在真空中操作。這是因為EUV光刻機的光源很容易被介質吸收，只有真空才能保證光源的能量最大程度不流失。
2.發光原理不同:DUV光刻機光源是準分子激光，而EUV光刻機是激光激發等離子體發射EUV光子。方式不同，發出的光源也不同。其中，DUV光刻機的波長可達193 nm，而EUV光源的波長為13.5 nm。兩者的區別非常明顯。波長越短，可以達到的分辨率越高。這使得EUV光刻機能夠承擔高精度芯片的生產任務。
3.制造精度不同:DUV的精度也相差甚遠。DUV基本上只能做到25納米，而英特爾憑借雙級模式做到了10納米，但無法達到10納米以下。只有EUV可以滿足10nm以下的晶圓制造要求，並且可以繼續延伸到5 nm和3 nm。
掩模對準工藝介紹
光刻機又稱掩模對準曝光機、曝光系統和光刻系統，是制造芯片的核心設備。它使用類似於照片印刷的技術，通過曝光將掩模上的精細圖案印刷到矽片上。
高精度對準系統的制造需要近乎完美的精密機械技術，這也是國產光刻機無法企及的技術難點之壹。很多美國德國品牌的光刻機都有專門的專利機械技術設計。比如mycon &；q光刻機采用全氣動軸承設計專利技術，有效避免軸承機械摩擦帶來的工藝誤差。