內存條有哪些種類？
縮寫:緩存
標準:高速緩存
中文:緩存
緩存是壹種隨機存取存儲器(RAM)，其存取速度比普通RAM更快。當中央處理器
CPU處理數據時，會先在緩存中尋找，如果數據因為之前被讀取過而臨時存儲在其中，就不會。
需要從內存中讀取數據。由於CPU通常比主存儲器快，如果CPU想要連續訪問存儲器，
必須等待幾個機器周期才能造成浪費。所以提議？緩存？的目的是適應CPU的讀取速度。諸如
英特爾的奔騰處理器在芯片上集成了不同容量的指令緩存和數據緩存，統稱為。
L1緩存(內存)。L2緩存通常是壹個獨立的靜態隨機存取存儲器(SRAM)芯片。
簡稱:DDR
標準:雙倍約會價格
中文:雙倍數據傳輸速率
DDR系統的時鐘是100或者133MHz，但是數據傳輸速率是系統時鐘的兩倍，也就是200或者266MHz。該系統
用3.3或者3.5V的電壓，因為DDR SDRAM的速度提高了，所以傳輸效率比同步動態隨機存取要好。
內存(SDRAM)不錯。
DDR是雙倍數據速率同步DRAM (SDRAM)的首字母縮寫。雙倍速率同步動態隨機存儲器
內存技術是從成熟的SDRAM衍生出來的壹種進化技術
技術。DDR內存高性能的秘密在於它能夠
在壹個時鐘周期內執行兩次數據操作，提供兩倍的吞吐量
SDRAM的
縮寫:DIMM
標準:雙列直插式內存模塊
中文:雙列直插式內存模塊
DIMM是用多個隨機存取存儲器(RAM)芯片焊接在PCB上的模塊，實際上是壹個模塊。
這種包裝技術。在PCB的壹條邊上，每邊有64個稱為手指的銅接觸條，兩邊有168條。DIMM可以分為
電壓分3.3V和5V兩種，包括帶緩沖和不帶緩沖的。目前3.3V包含。
緩沖區類型，DIMM還需要壹個可擦除只讀存儲器(EPROM ),供BIOS存儲每壹個
參數，使芯片組(Chipset)達到最佳狀態。
縮寫:DRAM
標準:動態隨機存取存儲器
中文:動態隨機存取存儲器
壹般計算機系統中使用的隨機存取存儲器(RAM)可分為動態和靜態隨機存取存儲器(SRAM)，二者有區別。
因為DRAM需要由存儲器控制電路按照壹定的周期刷新存儲器，為了保持數據保存，SRAM數據
不需要刷新過程，並且在上電期間數據不會丟失。
縮寫:ECC
標準:錯誤檢查和糾正)
處理單元中所有單位錯誤的錯誤檢測和糾正，以及雙位或多位錯誤檢查和糾正。
積極的。
縮寫:江戶DRAM
標準:將數據擴展出動態隨機存取存儲器
EDO動態隨機存取存儲器
EDO DRAM又稱超頁模式DRAM，是壹種可以增加動態隨機存取存儲器(DRAM)讀取的DRAM。
性能內存，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持數據輸出到下壹個周期。
CAS#的下降沿，EDO DRAM的帶寬從100兆(MB)增加到200MB。
簡稱:EEPROM
標準:電可擦除可編程只讀存儲器
英語:電子可擦只讀存儲器
非易失性存儲器。移除電源後，存儲的信息(數據)仍然存在，並且以相同的方式將電壓施加到特殊引腳。
當輸出相應的命令時，可以擦除內部數據。它通常用於電視和空調，存儲用戶設置的參數。
數數。
這種內存支持再次修改數據。每次寫入數據前，必須確保寫入單元已擦除，並寫入壹個數字。
顯示大致時間在2-10毫秒之間..支持單字節單元擦除功能。
縮寫:EPROM
標準:可擦除可編程只讀存儲器
中文:紫外線擦除只讀存儲器
非易失性存儲器。它不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬件中的基本輸入輸出系統。
(基本輸入輸出系統).允許用戶通過紫外線消除重復使用程序。
這種內存不支持重新布線修改數據。
縮寫:Flash
標配:內存
英語:閃存
非易失性存儲器。目前，它是在線可重寫非易失性存儲器中最大容量的存儲器。再次支持
逐行修改數據和寫入數據的速度比EEPROM高1個數量級。
Flash應用於大容量數據和程序存儲，如電子詞典庫、固態硬盤、PDA上的操作系統等。
縮寫:FeRAM
標準:鐵電隨機存取存儲器
中文:鐵電存儲器
鐵電隨機存儲器(FRAM)是新壹代的非易失性存儲器
將高性能和低功耗操作與以下能力相結合的內存
在沒有電力的情況下保留數據。
FRAM具有電池支持的SRAM的快速讀/寫速度和低功率
不需要電池
簡稱:MRAM
標準:磁阻隨機存取存儲器
中文:磁性隨機存取存儲器
基於半導體(1T)和磁隧道的磁隨機存儲器(MRAM)正處於發展階段。
結-MTJ)技術是壹種固態存儲介質，屬於非易失性芯片。主要開發者是IBM和英飛淩。
(英飛淩)，賽普拉斯和摩托羅拉(摩托羅拉)。它的擦除次數高於現有的閃存，可以達到
1015，讀寫時間可達70nS，
縮寫:RAM
標準:隨機存取存儲器
隨機存取存儲器
隨機存取存儲器(RAM)是壹種存儲器，由計算機CPU控制，是計算機的主要存儲區域。
訂單和信息暫時存儲在這裏。RAM是可讀寫的內存，它幫助中央處理器(CPU)通過鍵盤工作。
鍵盤或鼠標等源讀取指令幫助CPU將數據寫入可讀可寫的輔助設備。
輔助存儲器，這樣以後還能用，還能主動向輸出設備發送數據，比如打字。
印刷機、顯示器。RAM的大小會影響計算速度。RAM越大，它能容納的數據就越多，CPU就會讀取這些數據。
速度越快。
縮寫:RDRAM
標準:Rambus DRAM
中文:Rambus動態隨機存取存儲器
這是壹種主要用於圖像加速的內存，提供1000Mbps的傳輸速率，運行時不會用到。
斷斷續續，比200mbps的動態隨機存儲器(DRAM)快，當然價格也比DRAM貴。盡管
RDRA不能完全取代現有的存儲器，但由於總線速度的要求，它可以取代DRAM和靜態隨機存取存儲器。
存取存儲器(SRAM)。SDRAM的運算速度是100赫茲(Hz)，廠家顯示的RDRAM可以達到。
600MHz，而內存只有8、9位長。如果並排使用RDRAM，帶寬可以大大增加。
(帶寬)，將內存增加到32位或64位。
縮寫:ROM
標準:只讀存儲器
英語:只讀存儲器
只讀存儲器。這個內存的內容在任何情況下都不會改變，電腦和用戶只能讀取。
取存儲在這裏的指令，使用存儲在ROM中的數據，但不能改變或存儲數據。ROM存儲在壹個
在非易失性芯片上，也就是說即使關機後，內存仍然可以保存，所以這種內存比較多。
用於存儲特定功能的程序或系統程序。ROM存儲用於激活計算機的指令，這些指令在計算機打開時被檢索。
為了對中央處理器的壹系列指令進行測試，在初始測試中，檢查RAM的位置以確定。
認識到它存儲數據的能力。此外，其他電子組件包括鍵盤和計時器。
電路)和CPU本身也包含在CPU測試中。
簡稱:SDRAM
標準:同步動態RAM
同步動態隨機存取存儲器
SDRAM與微處理器同步，因此可以與EDO動態存儲模塊相媲美。
(EDO DRAM)更快，電壓3.3V (EDO DRAM為5V)，168引腳，還能配合中心。
處理器(CPU)的外部時鐘，有66和100MHz不同的規格，100MHz的規格有
眾所周知的PC100內存。
縮寫:SIMM
標準:單列直插式內存模塊
單列直插式內存模塊
內存模塊的概念直到80386年才應用到主板上，當時。
主要有30個管腳，壹次數據訪問可以提供8條數據訪問線。
(Access)是32字節，所以分成四個壹組，所以80386以四為單位。現在壹個SIMM是
72引腳，但只能提供32字節的工作負載，但外部數據總線是64字節。
因此，壹塊主板上必須有兩個SIMM來執行巨大的數據處理任務。
縮寫:SRAM
標準:靜態隨機存取存儲器
靜態隨機存取存儲器
SRAM的制造方法不同於動態隨機存取存儲器(DRAM)，每壹位使用6個晶體管組。
因此，不需要定期刷新晶體管來保持數據丟失，並且其存取時間短。控制電路簡單，但制造簡單
成本高，單個芯片很難做到和DRAM壹樣的容量。
縮寫:VCM SDRAM
標準:虛擬通道內存SDRAM
虛擬頻道存儲器
1999由於市場上SDRAM的短缺，日本NEC恩逸西匹配了壹些主板廠商和芯片組。
(芯片組)廠商，大力推廣所謂的VCM模組技術，消費者普遍接受，日本NEC更喜歡壹招搞定。
VCM的規格被推向工業標準。VCM存儲器規範是在SDRAM概念的基礎上開發的新產品，並增加了
強化原有SDRAM功能。在過去，SDRAM必須等待中央處理器(CPU)或VGA卡處理數據。
之後，它可以完全發送到SDRAM進行進壹步處理。但是VCM內部劃分是16個虛擬通道。
通道)，每個通道負責壹個單獨的內存主機，因此可以減少內存接口的數量。
負擔，進而提高電腦使用者的工作效率。目前全球第四大內存模塊制造商宇展科技，以及
日本NEC技術合作，在臺灣省推出了壹款采用PC133 (PC133) VCM內存條設計的筆記本電腦，由於
VCM技術可以減輕內存接口的負擔，並且功耗低，非常適合筆記本電腦的運行。