在靜電學中，顯示了閉合表面上電荷的總和與閉合表面上產生的電場的電通量積分之間的關系。高斯定律顯示了封閉表面中的電荷分布與產生的電場之間的關系。
靜電場的高斯定律類似於磁場的安培定律，兩者都集中在麥克斯韋方程組中。由於數學上的相似性，高斯定律也可以應用於由平方反比定律確定的其他物理量，例如重力或輻照度。
擴展的數據表明，電場強度對任何閉合表面的通量只取決於閉合表面內電荷的代數和，而與表面內電荷和閉合表面外電荷的位置分布無關。
在真空的情況下，σ q是封閉表面內自由電荷的代數和。當存在介質時，σ q應理解為封閉曲面中自由電荷和極化電荷之和。高斯定理反映了靜電場是壹個有源場。
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