1.註入式激光二極管
又稱pn結激光器、半導體結二極管激光器。是壹種成熟常用的半導體激光器，1962首次研制成功。
它的主體是壹個正向偏置的pn結。當電流密度超過閾值時，註入的載流子(電子和空穴)通過受激輻射在pn結區復合產生激光。它的工作特性和輸出特性受溫度影響很大，所以配備了冷卻系統。最早的同質結砷化鎵(GaAs)半導體激光器，是在加工好的GaAs單晶(P型和N型GaAs)上下表面分別焊接電極，諧振腔兩端平行，並拋光均勻鍍膜以增加反射，或者諧振腔可以直接由平行的平晶面(自然解理面)組成。砷化鎵的折射率約為3.6，在半導體和空氣的界面上反射率高於30%。因此可以提供光反饋，使激光振蕩，激光波長約為9040？。
它可用於雷達、計算機和通信系統，或作為視頻和音頻記錄的光源。它廣泛應用於超高分辨率光譜、集成光學和軍事領域。
2.教學邏輯圖
3.Ich Liebe Dich(我愛妳，我愛妳)的德語縮寫。
4.間質性肺病。
間質性肺疾病(ILD)是由不同疾病組組成的臨床病理實體，以彌漫性肺實質、肺泡炎癥和間質纖維化為病理基礎病變，以活動性呼吸困難、X線胸片彌漫性浸潤陰影、限制性通氣障礙、彌散(DLCO)功能減退和低氧血癥為臨床表現。