b，操作者達到的平均漂移速度是由於半導體中的散射事件和施加的電場。半導體中的兩個事件是晶格散射和電離雜質散射。
？平均漂移速度是電場小值的線性函數，但漂移速度達到飽和極限，在電場中為10立方厘米量級/S和10立方伏/厘米量級。
研發，載流子遷移是施加電場的平均漂移速度比。電子和空穴的遷移率是溫度和離子化雜質濃度的函數。
e漂移電流密度、電導率和電場(以壹歐姆定律的形式)。導電載流子函數和遷移率。電阻率濃度是電導率的倒數。
2，a，負責半導體的第二個輸運機制是載流子擴散，這是由於電荷載流子的濃度梯度流動。
b、擴散電流密度與擴散系數和載流子濃度梯度成正比。
3，A，是半導體中感應電場的熱平衡，雜質濃度不均勻摻雜。
第二，擴散和遷移率通過愛因斯坦關系與系數相關。
4，A，發電，產生電子和空穴的過程，也就是復合就是消除電子和空穴的過程。
第二，發電量和重組率被定義為熱平衡和非平衡過剩的載體。
？討論並定義了過剩少數載流子的壽命。
5.霍爾效應是在帶電的垂直電場和磁場中運動的載流子的結果。載流子的電荷偏轉引起霍爾電壓。霍爾電壓的極性是半導體導電類型的函數。多數載流子濃度和遷移率可以由霍爾電壓決定。